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公开/公告号CN1133464A
专利类型发明专利
公开/公告日1996-10-16
原文格式PDF
申请/专利权人 德克萨斯仪器股份有限公司;
申请/专利号CN95120084.4
发明设计人 R·H·泰勒;K·G·维克斯;B·E·格内德;A·M·威尔逊;C·E·普里姆;
申请日1995-11-20
分类号G09G3/20;
代理机构上海专利商标事务所;
代理人张政权
地址 美国德克萨斯州
入库时间 2023-12-17 12:48:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
1998-08-05
专利申请的视为撤回
1996-10-16
公开
机译: 场发射微尖端使相邻的条纹导体成簇
机译: 用作滤波器的微谐振器,其激活电极位于由单晶硅制成的谐振单元附近,形成在半导体层中,并与层中的开口齐平
机译: 用于制造半导体器件并抑制在衬底表面层附近产生块状微缺陷的方法
机译:扫描隧道形微尖存在下半导体表面附近的浅掺杂结合能的行为
机译:来自放置在导体盘附近的微偶极子电波源的辐射场
机译:最大升力与阻力比升力条件附近的翼尖涡旋和自由剪切层相互作用。
机译:房室结附近累及三尖瓣和二尖瓣环作为其折返回路的腺苷5-三磷酸敏感性房速的大折返形式
机译:交流低压分量对场致发射电流形式半导体尖端的影响
机译:磁头极尖附近磁场的有限元计算。