场致发射硅尖阵列的研制

吴海霞; 仲顺安; 李文雄; 邵雷; 鲁雪峰

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场致发射硅尖阵列的研制

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研究真空微电子器件场致发射硅尖阵列的制作工艺.利用HNA湿法腐蚀工艺制作场致发射硅尖阵列,比较带胶腐蚀与不带胶腐蚀的不同.采用氧化削尖技术对硅尖进行锐化处理.制作了50×60硅尖阵列,同时给出了硅尖阵列的I-V特性.利用HNA湿法腐蚀制备的硅尖结构与理论分析一致,锐化处理改善了硅尖阴极阵列的场致发射特性.

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来源
《北京理工大学学报》 |2003年第5期|638-640|共3页
作者
吴海霞; 仲顺安; 李文雄; 邵雷; 鲁雪峰;
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作者单位

北京理工大学信息科学技术学院电子工程系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.055;
关键词
真空微电子器件; 湿法腐蚀; 场致发射阴极阵列; 硅尖;

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