具有多层薄膜迭合的半导体层的薄膜光电电动势元件

摘要

改进的针型和肖特基型薄膜光电电动势元件具有令人满意的短路电流(Isc)、开路电压(Voc)、占空比(F·F)、光电转换效率和信噪比，其特征在于：至少有一层N型和P型半导体层由一层非单晶硅半导体层构成，该半导体层由多层厚度小于等于100埃包含1到10原子百分比氢原子的非单晶硅薄膜迭合而成。