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Multilayer structure having semiconductor layer and layer-thickness measurement region, and thin-film photoelectric conversion device and integrated thin-film solar cell unit using same

机译:具有半导体层和层厚度测量区域的多层结构,薄膜光电转换装置以及使用该薄膜光电转换装置的集成薄膜太阳能电池单元

摘要

A multilayer structure provided with a base having an unlevel surface and a semiconductor layer stacked on the base surface; wherein a portion of the base has a layer-thickness measurement region where the layer thickness of the semiconductor layer is optically measured; and the layer-thickness measurement region is provided with a reduced-surface-roughness region having surface roughness that is smaller than the surface roughness of the unlevel surface.
机译:一种多层结构,其具有具有不平坦表面的基底和堆叠在该基底表面上的半导体层。其中,基底的一部分具有层厚度测量区域,其中光学地测量半导体层的层厚度。层厚计测区域具有表面粗糙度比不平坦面的表面粗糙度小的表面粗糙度减小区域。

著录项

  • 公开/公告号AU2010219726A1

    专利类型

  • 公开/公告日2011-09-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SHARP KABUSHIKI KAISHA;

    申请/专利号AU2010219726A1

  • 发明设计人 NASUNO YOSHIYUKI;TAKEDA TOHRU;

    申请日2010-03-01

  • 分类号H01L31/042;H01L21/66;

  • 国家 AU

  • 入库时间 2022-08-21 18:01:04

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