在半导体衬底材料接触区制作电接触的方法

摘要

在制造电接触(1)时，使用了多晶硅电极层(4)，其边缘搭在与衬底(3)连接的绝缘物上，至少搭在边缘(52)的部分斜坡上。电极层(4)在腐蚀工艺中用做限定侧向边界的掩膜。于是，在电极层(4)的边缘下面形成一个框架形薄层(5)，并露出与薄层(5)相邻的衬底(3)的接触区(2)。再淀积可以形成硅化物的金属层，其厚度小于薄层(5)的厚度。当加热形成硅化物后，没有与硅反应的金属，用选择性溶解金属腐蚀剂去除。