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一种无空白区域的晶圆上硅通孔的制作方法

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摘要

本发明一种无空白区域的晶圆上硅通孔的制作方法，包括步骤1，使用刀具或激光去除所述晶圆划片道下方的金属及其它介质层，槽口的深度尺寸大于或等于金属与其它介质层的总厚度尺寸；步骤2，在步骤1得到的晶圆表面沉积一层氧化硅，氧化硅层的厚度尺寸与划片道和开槽的总深度尺寸满足如下关系，D

1. 一种无空白区域的晶圆上硅通孔的制作方法 [P] . 中国专利： CN111180388A . 2020-05-19
2. 晶圆级硅通孔封装结构制作方法及硅通孔封装结构 [P] . 中国专利： CN113903706A . 2022-01-07
3. Copper chip-to-chip in a through-silicon via (TSV) using a heated substrate and the cooled electrolyte, a method for electrodeposition of interconnection of the chip-to-wafer and wafer-to-wafer [P] . 日本专利： JP5683698B2 . 2015-03-11

机译：使用加热的基板和冷却的电解液的硅通孔（TSV）中的铜芯片到芯片，电沉积芯片到晶圆和晶圆到晶圆的互连的方法
4. PROCESS FOR ELECTRODEPOSITION OF COPPER CHIP TO CHIP CHIP TO WAFER AND WAFER TO WAFER INTERCONNECTS IN THROUGH-SILICON VIAS (TSV), WITH HEATED SUBSTRATE AND COOLED ELECTROLYTE [P] . 欧洲知识产权局专利： EP2611950B1 . 2013-11-13

机译：通过加热的基质和熔融电解质在铜硅通孔（TSV）中电解沉积铜芯片到晶片以进行晶圆和晶圆对晶圆互连的方法
5. PROCESS FOR ELECTRODEPOSITION OF COPPER CHIP TO CHIP, CHIP TO WAFER AND WAFER TO WAFER INTERCONNECTS IN THROUGH-SILICON VIAS (TSV) WITH HEATED SUBSTRATE AND COOLED ELECTROLYTE [P] . 欧洲知识产权局专利： EP2611950A1 . 2013-07-10

机译：通过导电硅酸盐和熔融电解质在全硅通孔（TSV）中电解沉积铜芯片到芯片，芯片到晶圆和晶圆到晶圆的互连的方法