晶圆迭加异常补偿方法及晶圆迭加异常信息量测方法

摘要

本发明涉及晶圆迭加异常补偿方法，涉及半导体集成电路制造技术，通过设置用于迭加异常量测的曝光单元，其中用于迭加异常量测的曝光单元的个数为25至35之间的任一值，并使用于迭加异常量测的曝光单元中的位于晶圆边缘范围内的曝光单元的数量与晶圆面内除晶圆边缘范围之外的曝光单元的数量比为4:1至6:1之间的任一值，并设置每个用于迭加异常量测的曝光单元内的量测点，保证每个用于迭加异常量测的曝光单元内的量测点的数量相等，增大晶圆边缘范围内迭加异常的信息量比例，而使得到的晶圆迭加异常信息更能反映晶圆边缘的迭加异常信息，而使晶圆边缘迭加补偿效果较好，进而提高产品良率。