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基于横向平移结晶法制备大尺寸Ce,Nd:YAG晶体的方法

摘要

本发明公开了基于横向平移结晶法制备大尺寸Ce,Nd:YAG晶体的方法,其具体的工艺过程包括配料、装炉、抽真空及充气、升温、引晶、晶体放肩生长、晶体等宽生长、降温及原位退火、取出晶体等9个过程。本发明利用横向平移结晶法,同时具有定向结晶法和垂直区熔法的优点,制备Ce,Nd:YAG晶体具有成本低、生长周期短、晶体质量高、产品均一性好、无核心侧心、产品利用率高等优势。

著录项

  • 公开/公告号CN111519242A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202010591640.X

  • 发明设计人 顾跃;毛世平;丁雨憧;

    申请日2020-06-24

  • 分类号C30B15/06(20060101);C30B29/28(20060101);

  • 代理机构50212 重庆博凯知识产权代理有限公司;

  • 代理人胡逸然

  • 地址 400060 重庆市南岸区南坪花园路14号

  • 入库时间 2023-12-17 11:07:24

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-11

    公开

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