热探测器及热探测器阵列

摘要

晶片级集成热探测器，包括键合在一起的第一晶片和第二晶片(W1，W2)。所述第一晶片(W1)包括电介质的或半导体的基板(100)，沉积在所述基板上的电介质的牺牲层(102)，沉积在所述牺牲层或基板上的支撑层(104)，在所述支撑层中的开口(106)内设有悬挂式有源元件(108)，位于所述悬挂式有源元件对侧的第一真空密封腔(110)和第二真空密封腔(106)。所述第一真空密封腔(110)在所述悬挂式有源元件(108)的位置处延伸到所述牺牲层(102)中。所述第二真空密封腔(106)包括所述支撑层(104)的开口，键合的第二晶片封闭所述开口。所述热探测器还包括使辐射从外部进入所述第一真空密封腔和所述第二真空密封腔中的前部光学器件(120)，设置为将辐射反射回所述第一真空密封腔和第二真空密封腔中的另一个的后部反射器(112)，以及用于将悬挂式有源元件与读出电路(118)连接的电连接(114)。