公开/公告号CN111243953A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-06-05
原文格式PDF
申请/专利权人 新磊半导体科技(苏州)有限公司;
申请/专利号CN202010041884.0
申请日2020-01-15
分类号H01L21/335(20060101);H01L29/778(20060101);H01L29/06(20060101);C23C14/22(20060101);C23C14/06(20060101);
代理机构
代理人
地址 215151 江苏省苏州市高新区建林路666号出口加工区配套工业园28号厂房
入库时间 2023-12-17 10:03:51
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-30
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/335 申请日:20200115
实质审查的生效
2020-06-05
公开
公开
机译: 通过分子束外延生长掺杂的III-V合金层的方法以及包括具有通过这种方法生长的掺杂的III-V合金的外延层的半导体衬底的半导体器件的半导体器件
机译: 通过分子束外延生长掺杂的III-V合金层的方法以及包括具有通过这种方法生长的掺杂的III-V合金的外延层的半导体衬底的半导体器件的半导体器件
机译: 利用分子束外延生长半导体器件中有源区的方法