一种半导体外延结构及其制备方法、半导体有源光电器件

摘要

本发明公开了一种半导体外延结构及其制备方法、半导体有源光电器件，包括由下至上依次分布的衬底、缓冲层、下包层、下波导层、有源区、上波导层、上包层、盖层以及接触层，下包层的上表面为上凸台结构，下波导层的下表面为下凸台结构，上凸台结构和下凸台结构互补，使上凸台结构和下凸台结构的轮廓重合；上凸台结构的上表面至上波导层上表面构成第一有源波导结构，下凸台结构的下表面至上波导层上表面构成第二有源波导结构，第一有源波导结构的光学限制因子大于第二有源波导结构的光学限制因子，第一有源波导结构的光模式体积小于第二有源波导结构的光模式体积，能够同时提供具有高增益水平和高饱和输出功率水平的功能区域，并保证慢轴光束质量。