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钟景昌;
长春光机学院;
化学束外延; 生长动力学; 半导体材料; 半导体器件;
机译:器件兼容的砷化镓在具有薄(〜80 nm)Si_(1-x)Ge_x台阶缓变缓冲层的硅衬底上的分子束外延生长,用于高κⅢ-Ⅴ型金属氧化物半导体场效应晶体管的应用
机译:III-V族半导体纳米线的分子束外延及其器件应用
机译:GaAs衬底上InAs和ln_(0.8)Ga_(0.2)As沟道材料的分子束外延生长在金属氧化物半导体场效应晶体管中的应用
机译:反射高能电子衍射作为III-V化合物半导体分子束外延生长中机器条件传递函数的固有材料特性传感器
机译:化学束外延在磷化铟基材料和器件中的应用
机译:微波辅助合成和表征氧化锌/烟草花叶病毒杂种材料。场效应晶体管器件中的有源混合半导体
机译:利用有机五族材料发展金属有机气相外延的研究及其在光半导体器件制造中的应用
机译:用于器件应用的金属有机化学气相沉积异质外延生长3-5个半导体化合物。最终报告,1983年10月至1987年8月。
机译:通过分子束外延生长掺杂的III-V合金层的方法以及包括具有通过这种方法生长的掺杂的III-V合金的外延层的半导体衬底的半导体器件的半导体器件
机译:通过将膜深度分布细分为均匀的预选成分区域来沉积成分渐变材料膜,尤其是数字渐变分子束外延或化学气相沉积半导体膜
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