一种MOSFET晶圆临近颗粒测试方法及其测试电路

摘要

本发明公开了一种MOSFET晶圆临近颗粒测试方法及其测试电路，其测试方法包括以下步骤：S101，通过电阻将MOSFET晶圆的漏极加载端和漏极测量端连接；S102，通过测试VTH小电流参数判断N个被测MOSFET颗粒的基本功能正常；S103，测试Rdson，选择功能正常且距离被测颗粒最近的颗粒作为辅助颗粒；S104，将辅助颗粒的栅极驱动为常通状态；S105，将共漏极的测量端连接至辅助颗粒的源极，然后进行Rdson参数测试；本发明还相应的公开了一种MOSFET晶圆临近颗粒测试电路，能够提高对MOSFET晶圆的Rdson参数的测量精度，有效降低了测试误差。