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公开/公告号CN111226143A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-06-02
原文格式PDF
申请/专利权人 奇跃公司;
申请/专利号CN201880067545.0
发明设计人 V·辛格;M·N·米勒;F·Y·徐;S·杨;
申请日2018-10-19
分类号G02B5/18(20060101);G02B1/11(20150101);G03F7/00(20060101);B29C59/02(20060101);
代理机构11247 北京市中咨律师事务所;
代理人贺月娇;杨晓光
地址 美国佛罗里达州
入库时间 2023-12-17 09:33:57
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-02
公开
机译: 在压印光刻工艺中配置光学层
机译:通过三层纳米压印光刻工艺控制临界尺寸
机译:用于光学应用的200 mm硅晶片上的纳米压印光刻工艺:残留厚度刻蚀各向异性
机译:在每个光刻工艺中通过纳米压印制造的铜/聚酰亚胺多层互连
机译:分步和快速压印光刻工艺中特定于压印的缺陷的研究
机译:步进和闪光压印光刻工艺中的流体和固体力学。
机译:通过Al2O3原子层沉积提高DNA纳米结构模板的稳定性及其在压印光刻中的应用
机译:用于对准层的分子尺度软压印光刻在液晶装置中的对准层
机译:Zn(1-x)Cd(x)se厚外延层和Zn(1-x)Cd(x)se / Znse应变层多量子阱光致发光谱中光学跃迁的静水压研究