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一种拼接CVD金刚石单晶的方法

摘要

本发明涉及人造钻石技术领域,且公开了一种拼接CVD金刚石单晶的方法,包括以下步骤:步骤一、准备工具和原料,准备适量的CVD金刚石单晶籽晶,准备X射线衍射谱仪、激光切割机、研磨机和CVD金刚石生长机;步骤二、使用X射线衍射谱仪对多个CVD金刚石单晶籽晶的内部晶向进行精确确定;步骤三、根据步骤一中多个CVD金刚石单晶籽晶的内部晶向,使用激光切割机依次对多个CVD金刚石单晶籽晶进行激光切割;步骤四、使用研磨机对步骤三中多个激光切割后的CVD金刚石单晶籽晶的切割面进行研磨光滑。该拼接CVD金刚石单晶的方法,通过CVD金刚石在生长过程中会自动修复晶格缺陷的原理解决大块CVD金刚石单晶难以生产的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN111270313A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-06-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 湖州中芯半导体科技有限公司;

    申请/专利号CN202010252432.7

  • 发明设计人 赵芬霞;刘宏明;

    申请日2020-04-01

  • 分类号C30B33/06(20060101);C30B25/00(20060101);C30B29/04(20060101);

  • 代理机构11616 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司;

  • 代理人邓凌云

  • 地址 313000 浙江省湖州市吴兴区高新区中横港路33号2号厂房5号

  • 入库时间 2023-12-17 09:04:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-06-12

    公开

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