退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN111206236A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-05-29
原文格式PDF
申请/专利权人 北京工业大学;
申请/专利号CN202010024893.9
发明设计人 王如志;杨孟骐;梁琦;严辉;张铭;王波;王长昊;
申请日2020-01-10
分类号
代理机构北京思海天达知识产权代理有限公司;
代理人刘萍
地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号
入库时间 2023-12-17 08:38:41
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-23
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/34 申请日:20200110
实质审查的生效
2020-05-29
公开
机译: 纳米线的制造方法,III族氮化物纳米线阵列和GaN衬底结构
机译: 一种纳米线-晶体管的制造方法,纳米线-晶体管的结构和纳米线-晶体管的场
机译: GaN纳米线光电极结构的制造方法,用于光电化学水分解
机译:氨化时间对Au催化一维Mg掺杂GaN纳米线微观结构和形貌的影响
机译:Mg掺杂P型GaN纳米线的光学性质
机译:开发一块单片集成的GaN纳米线存储装置
机译:使用在空心n-GaN纳米线上形成的非极性同轴InGaN / GaN多量子阱结构产生氢
机译:mg掺杂对自诱导GaN纳米线成核的影响
机译:无掺杂GaN / alN / alGaN径向纳米线异质结构作为高电子迁移率晶体管。