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王海燕; 李旭升; 李丹; 姚彦文;
河南理工大学材料科学与工程学院;
攀枝花学院材料工程学院;
掺杂; 高压; 带隙; 第一性原理;
机译:密度泛函理论研究:纤锌矿Gα15RE1N16中RE:GaN的电子结构
机译:GaN纳米棒的电子结构的理论研究
机译:自组织GaN / AIN量子点的电子结构的理论研究
机译:GaN中螺纹边缘脱位电子结构的理论研究
机译:电子结构理论研究:非正交构型相互作用,氧化态分析和质子还原催化。
机译:金属有机化学气相沉积在蓝宝石衬底上生长的低Al成分p-GaN / Mg掺杂Al0.25Ga0.75N / n + -GaN极化诱导的反向隧穿结
机译:通过电子结构方法向GaN网络中添加Mn原子的影响Mn掺入对纳米GaN的电子结构的间接影响
机译:分子束外延生长mg掺杂GaN同质外延层的光学和磁共振研究。
机译:MOCVD生长MG掺杂的GAN半导体薄膜的P型活化等离子退火方法
机译:2种二维电子气共振的量子阱电子结构的GaN基半导体发光器件
机译:具有多个微电子结构的微电子结构,该微电子结构与嵌入在微电子基板中的微电子桥相连
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