一种新型电子封装高硅铝合金及其制备方法

摘要

本发明公开了一种新型电子封装高硅铝合金，按质量百分比计，高硅铝合金的成分为：Sc 0.1～0.5%、Si 15～40%、Mg 0.25～0.45%、Mo 0～1%、其余为Al。本发明通过对高硅铝合金进行了钪变质和激光表面复合处理技术，提高高硅铝合金力学性能、耐磨性和抗疲劳性能。本发明还公开了一种新型电子封装高硅铝合金的制备方法。