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公开/公告号CN110828424A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-02-21
原文格式PDF
申请/专利权人 新科金朋私人有限公司;
申请/专利号CN201910734211.0
发明设计人 S.曹;C.金;I.K.沈;I.尹;K.朴;
申请日2019-08-09
分类号
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人俞华梁
地址 新加坡新加坡市
入库时间 2023-12-17 07:47:18
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-02-21
公开
机译: 带裸片背面的倒装芯片封装的EMI EMI屏蔽
机译: 具有裸片背面的倒装芯片封装的EMI屏蔽
机译: 半导体器件和形成预制的EMI屏蔽框架的方法,该预制的EMI屏蔽框架具有在半导体管芯上的包含可渗透材料的腔体
机译:测量倒装芯片封装的SRAM器件的α粒子诱导的SEU横截面的另一种方法:高能α背面辐射
机译:底部填充填充剂沉降对倒装芯片封装的芯片背面界面应力的影响
机译:倒装芯片封装的硅VLSI电路中皮秒内部栅极延迟的背面光学测量
机译:铜/超低k大管芯倒装芯片球栅阵列的芯片封装相互作用分析
机译:芯片封装相互作用(CPI)及其对倒装芯片封装可靠性的影响。
机译:MWCNT涂层的自立式碳纤维织物具有更高的绝对EMI SE可增强EMI屏蔽性能
机译:倒装芯片封装的可靠性^ ^ mdash;倒装芯片关节的热应力^ ^ mdash;
机译:长期老化螺栓连接屏蔽室的EmI / RFI屏蔽效能评估。