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针对具有暴露的管芯背面的倒装芯片封装的EMI屏蔽

摘要

一种半导体器件具有衬底和设置在衬底之上的半导体管芯。密封剂沉积在半导体管芯和衬底之上,其中半导体管芯的表面从密封剂中被暴露。在半导体管芯之上形成第一屏蔽层。在一些实施例中,第一屏蔽层包括与半导体管芯的表面接触的不锈钢层和形成在不锈钢层之上的铜层。第一屏蔽层可还包括形成在铜层之上的保护层。一个实施例具有通过焊料层接合到半导体管芯的散热装置。第二屏蔽层可以形成在半导体管芯的侧表面之上。

著录项

  • 公开/公告号CN110828424A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-02-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 新科金朋私人有限公司;

    申请/专利号CN201910734211.0

  • 发明设计人 S.曹;C.金;I.K.沈;I.尹;K.朴;

    申请日2019-08-09

  • 分类号

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人俞华梁

  • 地址 新加坡新加坡市

  • 入库时间 2023-12-17 07:47:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-02-21

    公开

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