SOI压力传感器压敏电阻及其制作方法、SOI压力传感器

摘要

本发明公开了一种SOI压力传感器压敏电阻及其制作方法、SOI压力传感器，其制作方法包括以下步骤：制备注入缓冲保护层，制备注入阻挡层；P型掺杂，退火，形成P型重掺杂区；采用湿法刻蚀去除非P型重掺杂区，得到SOI压力传感器压敏电阻。本发明SOI压力传感器压敏电阻由上述方法制得。本发明SOI压力传感器包括P型重掺杂压阻，该P型重掺杂压阻为上述的SOI压力传感器压敏电阻。本发明SOI压力传感器压敏电阻的制作方法具有成本低廉、刻蚀精度高、一致性好、量产效率高、二次污染少等优点，制得的压敏电阻表面平直光滑，可广泛用作SOI压力传感器的压阻，有着很高的使用价值和良好的应用前景。