按对角线布置的一个晶体管和一个铁电电容器存储器单元

摘要

本文描述的是按照对角线布置的一个存取晶体管和一个铁电电容器（1T‑1FECAP）存储器单元以及对应方法和装置。当存储器单元的存取晶体管实现为FinFET时，则在第一对角线布置中，存储器单元布置成使得单元的BL相对单元的存取晶体管的鳍是对角线的，而单元的WL与鳍垂直。在第二对角线布置中，存储器单元布置成使得单元的存取晶体管的鳍相对单元的WL是对角线的，而单元的BL与WL垂直。这类对角线布置可有利地允许取得1T‑1FE‑CAP存储器单元的高布局密度，并且可获益于以相对较小适配对前端晶体管过程技术的再使用。