一种提高超浅隔离槽隔离效应的工艺方法

摘要

本发明提供一种提高超浅隔离槽隔离效应的工艺方法，提供衬底，在衬底上形成p阱；刻蚀所述p阱，形成用作STI区的第一凹槽；在第一凹槽底部继续刻蚀p阱，形成宽度和深度均远小于第一凹槽宽度和深度的第二凹槽；在第二凹槽周围的所述p阱中进行离子注入，形成用于隔离有源区的离子注入区。本发明针对超浅隔离槽，在不增加光罩的基础上，成功引入双重浅隔离槽，不但没有增加超浅隔离槽深度，而成功的增加有源区与有源区之间的击穿电压。