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公开/公告号CN110967940A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-04-07
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN201910927816.1
发明设计人 黄昱智;杨基;许哲彰;陈立锐;郑博中;
申请日2019-09-27
分类号
代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司;
代理人徐金国
地址 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
入库时间 2023-12-17 07:08:50
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-04-07
公开
机译: 极紫外(EUV)辐射源,用于产生极紫外(EUV)光
机译: 用于原位清洁EUV辐射源的源室的清洁模块和方法,辐射源模块以及用于投影曝光设备和投影曝光设备的照明系统
机译: 用于稳定基于放电等离子体的极紫外(EUV)辐射源的方法和装置
机译:种子激光光学隔离器,种子隔离器模块,EUV辐射源,光刻设备和光学隔离器操作方法
机译:用于纯反馈系统的自适应神经控制的ISS模块化方法
机译:多级供应链的监督控制:一种用于组织间控制的模块化Petri网方法
机译:用于纯反馈系统神经控制的ISS模块化方法
机译:适用于光刻应用的极紫外(EUV)全息计量学。
机译:人为干扰估算和补偿(DEC)方法使其适用于人形机器人中的模块化感觉运动控制
机译:聚四氟乙烯(pTFE)的极紫外(EUV)表面改性,用于控制生物相容性
机译:更新sEmaTECH 0.5 Na极紫外光刻(EUVL)微场曝光工具(mET)。会议:spIE - 极紫外(EUV)光刻V,加利福尼亚州圣何塞,2014年2月23日;相关信息:Journal.publication日期:90481m。