一种刻蚀方向可变的硅纳米孔结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种刻蚀方向可变的硅纳米孔结构及其制备方法。所述方法包括如下步骤：S1：将AAO薄膜转移到硅基板的上表面；S2：在AAO薄膜上沉积一层金属纳米颗粒；S3：去掉AAO薄膜，在硅基板表面得到分布均匀的金属颗粒阵列；S4.将步骤S3得到的硅基板除上表面外，其余表面采用聚合物密封覆盖，并在硅基板两侧对称设置电极；S5.将聚合物密封覆盖的硅基板置于刻蚀液体中蚀刻，得到纳米孔垂直基板的结构；S6.电极通电并施加电压，产生的电场改变金属纳米颗粒的蚀刻方向，即可得到纳米孔方向改变的硅纳米孔结构。本发明通过施加电压，改变金属纳米颗粒蚀刻方向，即可得到方向多变的纳米孔结构；所述工艺简单，实现硅纳米孔刻蚀过程中刻蚀方向可调控刻蚀。