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接触孔结构的形成方法及该接触孔结构

摘要

本申请公开了一种接触孔结构的形成方法及该接触孔结构,包括:在介质层上形成凹槽;依次在凹槽的底部和侧壁形成扩散阻挡层和浸润层,浸润层的在形成的过程中在凹槽的开口处形成突起结构;通过第一溅射工艺和第二溅射工艺在扩散阻挡层和浸润层的表面沉积铜籽晶,去除突起结构;在铜籽晶上形成铜层,该铜层填充凹槽;对凹槽外剩余的扩散阻挡层和铜层进行去除处理。本申请通过在接触孔的凹槽的底部和侧壁形成扩散阻挡层和浸润层后,通过第一溅射工艺和第二溅射工艺在扩散阻挡层和浸润层的表面沉积铜籽晶,去除浸润层在凹槽开口处形成的突起结构,从而扩大了凹槽的开口尺寸,便于后续的导电材料填充,在一定程度上提高了器件制造的良率。

著录项

  • 公开/公告号CN110690166A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-01-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力集成电路制造有限公司;

    申请/专利号CN201911053373.4

  • 发明设计人 鲍宇;

    申请日2019-10-31

  • 分类号

  • 代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人戴广志

  • 地址 201203 上海市浦东新区良腾路6号

  • 入库时间 2023-12-17 06:38:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-02-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/768 申请日:20191031

    实质审查的生效

  • 2020-01-14

    公开

    公开

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