公开/公告号CN110690166A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-01-14
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华力集成电路制造有限公司;
申请/专利号CN201911053373.4
发明设计人 鲍宇;
申请日2019-10-31
分类号
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;
代理人戴广志
地址 201203 上海市浦东新区良腾路6号
入库时间 2023-12-17 06:38:44
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-02-11
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/768 申请日:20191031
实质审查的生效
2020-01-14
公开
公开
机译: 半导体装置的接触孔的形成方法及接触孔的结构
机译: 具有多层布线结构的半导体器件及其制造方法,该半导体器件及其多层布线结构具有在接触孔的侧面上形成有疏水膜的接触孔
机译: 具有多层布线结构的半导体器件及其制造方法,该半导体器件及其多层布线结构具有在接触孔的侧面上形成有疏水膜的接触孔