退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN110660871A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-01-07
原文格式PDF
申请/专利权人 华南理工大学;
申请/专利号CN201910899953.9
发明设计人 李国强;余粤锋;林静;梁敬晗;
申请日2019-09-23
分类号
代理机构广州市华学知识产权代理有限公司;
代理人罗啸秋
地址 510640 广东省广州市天河区五山路381号
入库时间 2023-12-17 06:30:15
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-02-04
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0216 申请日:20190923
实质审查的生效
2020-01-07
公开
机译: 有机金属气相外延制备的InAs / GaSb超晶格结构红外探测器
机译: 一种基于GaAs-GaAlAs化合物的液相外延制备多层外延p-i-n结构的方法
机译: 三维双连续异质结构,制备方法及其在量子点-聚合物纳米复合光电探测器和光伏电池中的应用
机译:短波红外(SWIR)通过INAS / GAAS量子点异质结构在GE(100)衬底上生长的INAS / GAAS量子点异质结构而不迁移增强的外延层
机译:GaInAsP和AlInAs晶格匹配InP衬底上的液滴异质外延制备InAs量子点及其应用
机译:通过分子束外延生长的110 GaAs上的远程订购自组装INAS量子点
机译:用于太阳能电池的高质量InAs / GaAsSb量子点的外延生长。
机译:具有飞秒光纤激光器应用的短周期超晶格封盖结构的1550 nm InAs / GaAs量子点可饱和吸收镜的开发
机译:分子束外延法制备InAs量子点及其在半导体激光器中的应用
机译:Inas(1-x)p(x)合金外延膜的制备及光能隙。