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【2h】

Fabrication of InAs quantum dots by molecular beam epitaxy and their application to semiconductor lasers

机译：分子束外延法制备InAs量子点及其在半导体激光器中的应用

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制度:新 ; 文部省報告番号:乙1546号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:2000-06-22 ; 早大学位記番号:新3018 ; 理工学図書館請求番号:2502

机译：系统：新；教育部报告编号：大津1546；学位类型：博士（工程学）；授予日期：2000-06-22；早稻田大学注册处编号：New 3018；科学与工程图书馆申请编号：2502

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作者
斎藤英彰;
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作者单位

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年度 2016
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