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公开/公告号CN110658690A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-01-07
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN201910129017.X
发明设计人 田炳焕;
申请日2019-02-21
分类号
代理机构北京市立方律师事务所;
代理人李娜
地址 韩国京畿道
入库时间 2023-12-17 06:09:10
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-01-07
公开
机译: 使用极紫外曝光掩模坯料的图案转印方法,极紫外曝光掩模,制造方法以及用于极紫外辐射曝光掩模的极紫外辐射曝光掩模
机译: 极紫外光掩模以及制造极紫外光掩模的方法和设备
机译:B_4C覆盖层用于极紫外掩模对使用投影电子显微镜检查图案掩模的敏感性的影响
机译:具有高检查对比度的TaSiN_x吸收体堆叠的极紫外掩模制造
机译:极紫外光刻显微镜对极紫外掩模的穿透膜成像
机译:通过部分蚀刻到EUV多层镜中制造极紫外光刻的相移掩模的设计和方法
机译:用于自然缺陷分析的极紫外光刻掩模版的局部掩模图案
机译:制造用于生物学分析的无掩模微流体装置的简单方法
机译:在极紫外光刻中表征和减轻3D掩模效应
机译:光化掩模成像:sHaRp EUV显微镜的最新结果和未来方向。会议:极紫外(EUV)光刻V,加利福尼亚州圣何塞,2014年2月23日;相关信息:期刊出版日期:2014年4月17日。