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机译:具有高检查对比度的TaSiN_x吸收体堆叠的极紫外掩模制造
Motorola, Advanced Products Research & Development Laboratories, DigitalDNA~(TM) Laboratories, 2100 E. Elliot Road, M.D. EL317, Tempe, Arizona 85284;
机译:用于极紫外光刻的反射型衰减相移掩模的高反射率,在深紫外条件下具有较高的检查对比度
机译:具有掩埋缺陷和吸收剂特征的极紫外掩模的快速三维模拟和光化检查的比较
机译:新型吸收器叠层,可最大程度减少极紫外掩模中的阴影效应
机译:极紫外光刻中Cr和Ta吸收剂反射罩的对比测量
机译:使用故意模式变形对极端紫外掩模缺陷的缺陷避免
机译:紫外线-B辐射(280-315 nm)暴露于南瓜叶的光合作用生长和紫外线吸收
机译:B4C覆盖层对极端紫外线掩模的影响对使用投影电子显微镜图案化掩模检查的灵敏度
机译:极紫外光刻掩模上基板和吸收体缺陷的可印刷性