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Structure electron beam inspection system for inspecting extreme ultraviolet mask and structure for discharging extreme ultraviolet mask

机译:用于检查极紫外掩模的结构电子束检查系统和用于释放极紫外掩模的结构

摘要

A structure for discharging an extreme ultraviolet mask (EUV mask) is provided to discharge the EUV mask during the inspection by an electron beam inspection tool. The structure for discharging an EUV mask includes at least one grounding pin to contact conductive areas on the EUV mask, wherein the EUV mask may have further conductive layer on sidewalls or/and bottom. The inspection quality of the EUV mask is enhanced by using the electron beam inspection system because the accumulated charging on the EUU mask is grounded.
机译:提供一种用于排出极端紫外线掩模(EUV掩模)的结构,以在通过电子束检查工具进行检查期间排出EUV掩模。用于放电EUV掩模的结构包括至少一个接地引脚,以接触EUV掩模上的导电区域,其中,EUV掩模可以在侧壁或/和底部上具有另外的导电层。通过使用电子束检查系统,可以提高EUV掩模的检查质量,因为EUU掩模上的累积电荷已接地。

著录项

  • 公开/公告号US10054556B2

    专利类型

  • 公开/公告日2018-08-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HERMES MICROVISION INC.;

    申请/专利号US201615339496

  • 发明设计人 YOU-JIN WANG;CHIYAN KUAN;CHUNG-SHIH PAN;

    申请日2016-10-31

  • 分类号A61N5/06;G01N23/2251;H05F3/02;H01J37/20;H01J37/02;H01J37/28;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 13:04:37

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