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机译:使用两种高通量电子束检查系统研究极紫外图形掩模的缺陷可检测性
EUVL Infrastructure Development Center Inc., 16-1 Onogawa, Tsukuba-shi, Ibaraki-ken 305-8569, Japan;
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extreme ultraviolet; patterned mask inspection; high-throughput electron microscope; projection electron microscope; multibeam scanning electron microscope;
机译:使用空白检查,图案化掩模检查和晶圆检查来评估极端紫外线掩模缺陷
机译:半间距11nm节点缺陷检测性能的极紫外光刻图案化掩模检查工具的研究
机译:使用学习系统增强的缺陷检测能力,适用于具有投影电子显微镜光学元件的极紫外光刻掩模检测工具
机译:先进的投射电子显微镜系统的极紫外图案掩模检查性能,可产生11 nm半间距
机译:使用故意模式变形对极端紫外掩模缺陷的缺陷避免
机译:通过模板掩膜曝光氦气对聚乙二醇进行高分辨率高通量正色调成像
机译:B4C覆盖层对极端紫外线掩模的影响对使用投影电子显微镜图案化掩模检查的灵敏度