Cu基薄膜太阳电池光吸收层后处理及沉积缓冲层的方法

摘要

本发明公开了一种Cu基薄膜太阳电池光吸收层后处理及沉积缓冲层的方法，所述后处理方法包括如下步骤：(1)配置氨水溶液，所述氨水溶液的浓度为0.1‑1M；(2)将光吸收层按所述光吸收层的待处理表面与所述氨水溶液的液面呈预定角度放置在所述氨水溶液中进行处理1‑10min，处理温度为25‑65℃；(3)取出处理后的光吸收层，清洗后吹干。本发明可以改善光吸收层的表面成分及形貌，以更利于光吸收层和缓冲层Zn(O,S)的之间的相互扩散，在沉积缓冲层Zn(O,S)时，Zn(O,S)薄膜的晶粒更大，最终制备得到的Cu基薄膜太阳电池的性能得到了提高，同时大幅度减弱了光浸润效应。