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机译:用于Cu(In,Ga)SE-2 SE-2 SE-2的Zn(o,S)缓冲层的原子层沉积,具有Kf沉积后处理
Uppsala Univ Angstrom Solar Ctr Solid State Elect Box 534 SE-75121 Uppsala Sweden;
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CIGS; KF-PDT; Zinc oxysulfide; Buffer layers; Interfaces;
机译:用于Cu(In,Ga)SE-2 SE-2 SE-2的Zn(o,S)缓冲层的原子层沉积,具有Kf沉积后处理
机译:薄膜基于Cu(In,Ga)(S,Se)2的太阳能电池中的Zn(S,O,OH)/ ZnMgO缓冲液第一部分:Zn(S,O,OH)缓冲层的快速化学浴沉积共蒸发Cu(In,Ga)Se_2和电沉积CuIn(S,Se)_2太阳能电池的工业应用
机译:薄膜基于Cu(In,Ga)(S,Se)2的太阳能电池中的Zn(S,O,OH)/ ZnMgO缓冲液第一部分:Zn(S,O,OH)缓冲层的快速化学浴沉积共蒸发Cu(In,Ga)Se_2和电沉积CuIn(S,Se)_2太阳能电池的工业应用
机译:用于高效Cu(In,Ga)Se / sub 2 /太阳能电池的Zn(O,S)缓冲层的原子层沉积
机译:TiO2作为Cu(In,Ga)SE2太阳能电池中的中间缓冲层
机译:化学浴和表面沉积法制备Cu(InGa)Se2太阳能电池板(CdZn)S缓冲层的比较研究
机译:具有原子层沉积Zn1-xSnxO缓冲层的Cu2ZnSnS4太阳能电池的界面重组减少