一种存储器可靠性仿真验证方法、装置及存储介质

摘要

本发明公开了一种存储器可靠性仿真验证方法、装置及存储介质，方法包括：S100、基于局部工艺偏差参数，通过蒙特卡洛模拟方法获取存储器的各单元的晶体管的阈值电压偏差值；S200、基于全局工艺偏差参数和各单元的晶体管的阈值电压偏差值，对存储器在各种工艺角下的读数据操作和写数据操作分别进行模拟，得到模拟结果；S300、当确定模拟结果为存储器在各种工艺角下的读数据操作和写数据操作均为正常状态时，确定存储器具备可靠性。本发明在局部范围采用蒙特卡洛模拟，获得存储器的各单元晶体管的阈值电压偏差值，并在全局范围各种特定工艺角下进行仿真模拟时代入，验证存储器的可靠性，既保证了模拟的精度，又提高了模拟速度。