公开/公告号CN110880506A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-03-13
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN201910717263.7
申请日2019-08-05
分类号
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人付曼
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-17 05:26:56
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-03-13
公开
公开
机译: 使用凹入栅电极和高剂量漏极注入在集成电路结构中的MOS器件的沟道区和重掺杂源极/漏极接触区之间形成梯度掺杂轮廓区
机译: 具有不对称源极和漏极触点结构的集成式栅极全能电路结构
机译: 具有非对称源和漏极沟槽接触间距的非平面集成电路结构