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具有分化相邻分隔源极或漏极接触结构的集成电路结构

摘要

描述具有分化相邻分隔源极或漏极接触结构的集成电路结构。集成电路结构包括第一鳍之上的第一栅极堆叠以及第二鳍之上的第二栅极堆叠。第一和第二外延源极或漏极结构在第一鳍的第一和第二端。第三和第四外延源极或漏极结构在第二鳍的第一和第二端。第一导电接触结构耦合到第一或第二外延源极或漏极结构其中之一,并且具有与第二部分分隔的第一部分。第二导电接触结构耦合到第三或第四外延源极或漏极结构其中之一,并且具有与第二部分分隔的第一部分。第二导电接触结构与第一导电接触结构相邻,并且具有与第一导电接触结构的组成不同的组成。

著录项

  • 公开/公告号CN110880506A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-03-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英特尔公司;

    申请/专利号CN201910717263.7

  • 申请日2019-08-05

  • 分类号

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人付曼

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-17 05:26:56

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-03-13

    公开

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