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氮化物半导体器件的电极结构和氮化物半导体场效应晶体管

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摘要

根据该电极结构，源极电极(111)和漏极电极(112)以在绝缘膜(107)与氮化物半导体叠层体(105)的凹部(116、119)的开口边缘(116A、119A)之间与氮化物半导体叠层体(105)的表面接触的方式，从凹部(116、119)形成至绝缘膜(107)的表面(107C)上。根据这样的欧姆电极(111、112)的结构，与欧姆电极的端缘部被夹在氮化物半导体叠层体与绝缘膜之间的以往的电极结构相比，能够使与氮化物半导体叠层体(105)相邻的源极电极(111)和漏极电极(112)的端部的导通时的最大电场强度降低，能够提高导通耐压。

著录项

  • 公开/公告号CN104395994A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-03-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 夏普株式会社;

    申请/专利号CN201380033935.3

  • 发明设计人 藤田耕一郎;

    申请日2013-06-26

  • 分类号H01L21/338;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/812;

  • 代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司;

  • 代理人龙淳

  • 地址 日本大阪府

  • 入库时间 2023-12-17 04:57:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-11-21

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/338 申请公布日:20150304 申请日:20130626

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2015-04-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/338 申请日:20130626

    实质审查的生效

  • 2015-03-04

    公开

    公开

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