首页> 中国专利> 一种大气压下对硅系材料进行无掩膜微细加工的方法

一种大气压下对硅系材料进行无掩膜微细加工的方法

摘要

本发明涉及一种大气压下对硅系材料进行无掩膜微细加工的方法,属于材料加工技术领域。工作气体选择氩气或氦气,刻蚀气体选择含氟气体或含氯气体,另外还需通入少量辅助气体如氧气或氢气。射流发生器采用微细射流发生器,生成直径在毫米至微米级的微细射流,射流中富含多种活性成分,包括能和硅系材料发生反应的氟自由基或氯自由基。本发明提供的方法可在不使用传统掩膜的情况下,在硅系材料上实现毫米至微米级的微细加工。大气压等离子体射流宏观温度低,对硅系材料的热损伤低;该方法无需掩膜,操作简单,能耗小,加工产物对环境危害小,是一种绿色环保的微细加工方法。

著录项

  • 公开/公告号CN104404518A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-03-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 大连理工大学;

    申请/专利号CN201410532673.1

  • 申请日2014-10-10

  • 分类号C23F1/12;C30B33/12;H01J37/32;

  • 代理机构大连理工大学专利中心;

  • 代理人赵连明

  • 地址 116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号

  • 入库时间 2023-12-17 03:53:39

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-05-10

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23F1/12 申请公布日:20150311 申请日:20141010

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2015-04-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23F1/12 申请日:20141010

    实质审查的生效

  • 2015-03-11

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号