公开/公告号CN104182582A
专利类型发明专利
公开/公告日2014-12-03
原文格式PDF
申请/专利权人 中国航空综合技术研究所;
申请/专利号CN201410418580.6
发明设计人 张华;
申请日2014-08-22
分类号G06F17/50;
代理机构中国航空专利中心;
代理人李建英
地址 100028 北京市朝阳区京顺路7号
入库时间 2023-12-17 03:09:47
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-04-10
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G06F17/50 申请公布日:20141203 申请日:20140822
发明专利申请公布后的视为撤回
2014-12-31
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20140822
实质审查的生效
2014-12-03
公开
公开
机译: 半导体器件的时变介电击穿TDDB测试结构及其使用的TDDB测试方法
机译: 半导体器件的时变介电击穿(TDDB)测试结构以及使用该结构的TDDB测试方法
机译: 能够检测缺陷尺寸的半导体器件的测试结构以及使用相同方法检测金属失效或缺陷尺寸的测试方法