p型SnO薄膜及其p-n结二极管的制备方法

摘要

本发明提供一种p型SnO薄膜的制备方法，以SnO陶瓷靶为靶材，采用射频磁控溅射在石英衬底上原位沉积形成p型SnO薄膜，其中，衬底温度为150-300℃，溅射功率为50-150W，工作气体为Ar气，气压为0.5-2.0Pa，气体流量为50-100sccm，相比现有先室温沉积再退火的技术，本制备方法简单易行，适合大规模生产，通过优化衬底温度、溅射功率、气压等工艺参数，大大减少了薄膜内部缺陷，提高了空穴迁移率，大幅提高了p型SnO薄膜的结晶质量和电导率，再以SnO2:Sb陶瓷靶为靶材，通过射频磁控溅射在该p型SnO薄膜上原位沉积形成n型SnO2:Sb薄膜以形成p-n结二极管，可有效提高p-n结二极管的稳定性和光电性能，由此制得的p-n结二极管具有阈值电压高、漏电流低、制备简单、成本低等特点，可用作透明电子器件的基本元件。