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一种InP基中红外InAsBi量子阱结构

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摘要

本发明涉及一种InP基中红外InAsBi量子阱结构，采用InAsBi作为量子阱结构的势阱层，同时采用与InP匹配的In

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-03-06

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01S5/343 申请公布日:20141015 申请日:20140605

发明专利申请公布后的驳回
2014-11-12

实质审查的生效 IPC(主分类):H01S5/343 申请日:20140605

实质审查的生效
2014-10-15

公开

公开

1. 一种InP基中红外InAsBi量子阱结构 [P] . 中国专利： CN104104012A . 2014-10-15
2. 一种包含赝衬底的InP基应变量子阱结构及制备方法 [P] . 中国专利： CN101982905A . 2011-03-02
3. Quantum well structure and optical confinement die quantum well structure, to be formed with organicity metal vapor phase growth modulo on the production mannered null InP substrate of the semiconductor [P] . 日本专利： JP4886634B2 . 2012-02-29

机译：量子阱结构和光学约束模量子阱结构，将以有机金属气相模为模，在生产方式良好的半导体空InP衬底上形成
4. InP based high temperature lasers with InAsP quantum well layers and barrier layers of Gax(AIIN) 1-xP [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1443616B1 . 2007-01-24

机译：具有InAsP量子阱层和Gax（AIIN）1-xP势垒层的InP基高温激光器
5. InP based high temperature lasers with InAsP quantum well layers and barrier layers of Gax(AIIN) 1-xP [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1443616A3 . 2005-11-30

机译：具有InAsP量子阱层和Gax（AIIN）1-xP势垒层的InP基高温激光器