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【24h】

InP Based Avalanche Photodiode Arrays for Mid Infrared Applications; Final progress rept. 1 Aug-31 Dec 2006

机译:用于中红外应用的Inp基雪崩光电二极管阵列;最后的进展情况。 2006年8月1日至12月31日

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摘要

This program will develop avalanche photodiodes (APDs) and APD arrays for applications in the MIR. Results to date include photodiodes operating at 2.5 microns, theoretical designs for absorption regions out to 5 microns, and initial results on strain-compensated absorption regions.

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