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殷景志; 王新强; 杜国同; 杨树人;
吉林大学电子工程系;
应变补偿; 磷化铟; 量子阱;
机译:极低的阈值电流密度1.3 / spl mu / m InAsP / InP / InGaP / InP / GaInAsP应变补偿多量子阱激光器
机译:基于应变补偿的AlGainas / InP量子阱的超级发光二极管1.51.6μm
机译:使用新型II型应变补偿量子阱吸收区的基于InP的短波红外和中波红外光电二极管
机译:OMCVD法生长InP基应变补偿多量子阱
机译:1.55微米应变和应变补偿多量子阱单频激光器的设计,分析和制造技术。
机译:载流子传输效率及其对电信波长基于InP的量子点-量子阱结构的发射特性的影响
机译:用于热光电应用的基于Inp的晶格匹配InGaasp和应变补偿InGaas / InGaas量子阱单元
机译:用mOVpE生长的压缩应变InGaas / Inp量子阱的红外发光(1.6-1.9μm)。
机译:应变层InP / InGaAs量子阱激光器
机译:量子阱结构和光学约束模量子阱结构,将以有机金属气相模为模,在生产方式良好的半导体空InP衬底上形成
机译:具有可变偏振的应变量子阱结构和具有该应变量子阱结构的光学器件
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