公开/公告号CN104143502A
专利类型发明专利
公开/公告日2014-11-12
原文格式PDF
申请/专利权人 无锡赛晶太阳能有限公司;
申请/专利号CN201410372199.0
发明设计人 蒋建宝;
申请日2014-07-31
分类号H01L21/225;H01L31/18;
代理机构江苏圣典律师事务所;
代理人贺翔
地址 214251 江苏省无锡市宜兴市官林镇工业集中区C区
入库时间 2023-12-17 02:04:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-06-06
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/225 申请公布日:20141112 申请日:20140731
发明专利申请公布后的视为撤回
2014-12-10
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/225 申请日:20140731
实质审查的生效
2014-11-12
公开
公开
机译: 在具有低浓度掺杂的漏极端子区域的MOS晶体管的栅电极上制造侧壁掩模层的工艺以及使用该工艺制造互补MOS晶体管的方法
机译: 用一种树脂或一种富集的2a掺杂物质在径向上形成硅掺杂磷的单晶的方法。
机译: 用一种树脂或一种富集的2a掺杂物质在径向上形成硅掺杂磷的单晶的方法。