用于外延层剥离后晶片重新利用的牺牲性蚀刻保护层

摘要

本发明公开了一种生长结构，其包含生长基板、牺牲层、缓冲层、至少三个基板保护层、至少一个外延层、至少一个触点和金属或合金涂层的主体基板。在一种实施方式中，所述器件还包含至少3个器件结构保护层。所述牺牲层可以放置在所述生长基板与所述至少一个外延层之间，其中所述至少三个基板保护层被放置在所述生长基板与所述牺牲层之间，并且所述至少三个器件结构保护层被放置在所述牺牲层与所述外延层之间。本发明还公开了通过蚀刻所述牺牲层和所述保护层来释放所述电池结构以保护生长基板的完整性的方法。