结合离子束表面活化溅射和反应离子刻蚀的黑硅制备工艺

摘要

本发明公开了结合离子束表面活化溅射和反应离子刻蚀的黑硅制备工艺，解决现有的黑硅制备工艺复杂，刻蚀精度不高的问题。包括步骤：（1）将硅片置于真空室中；（2）用低能离子束均匀照射硅片，在硅片表面生成均匀的周期性纳米结构；（3）将在步骤（2）中经过照射后的硅片置于反应离子刻蚀真空室中，生成黑硅。本发明在整个制备黑硅的过程中能够把硅表面纳米结构形貌和黑硅层厚度这两个影响黑硅光反射特性的参数分别控制，进而可以事先设计黑硅表面纳米结构和黑硅层厚度，达到对黑硅结构进行优化以适合任何不同要求的目的；硅表面纳米结构和黑硅层厚度可人为灵活地控制，黑硅层的消耗小，刻蚀精度高，并且工艺过程简单，具有很大的实用价值。