法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-03-06
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L29/861 申请公布日:20140917 申请日:20140630
发明专利申请公布后的驳回
2014-10-22
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/861 申请日:20140630
实质审查的生效
2014-09-17
公开
公开
机译: 带集成肖特基二极管的分离式沟槽栅MOSFET
机译: 具有沟槽式接触结构的屏蔽栅MOSFET-肖特基整流二极管集成电路
机译: 带沟槽接触结构的屏蔽栅MOSFET-肖特基整流器-二极管集成电路