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蚀刻的硅结构、形成蚀刻的硅结构的方法及其应用

摘要

一种蚀刻硅的方法,所述方法包括以下步骤:用铜金属部分覆盖待蚀刻的材料的至少一个硅表面;和使至少一个表面暴露于含有氧化剂和氟化物离子的源的含水蚀刻组合物。

著录项

  • 公开/公告号CN103988342A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-08-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 奈克松有限公司;

    申请/专利号CN201280060454.7

  • 发明设计人 刘峰明;

    申请日2012-10-05

  • 分类号H01M4/04;H01L31/18;B44C1/22;H01M4/02;H01M4/70;H01M4/38;H01M4/66;

  • 代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人余刚

  • 地址 英国牛津郡

  • 入库时间 2023-12-17 00:55:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-08-18

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01M4/04 申请公布日:20140813 申请日:20121005

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2014-10-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01M4/04 申请日:20121005

    实质审查的生效

  • 2014-08-13

    公开

    公开

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