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硅蚀刻液、硅蚀刻方法以及硅鳍片结构体的制造方法

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摘要

本发明涉及硅蚀刻液、硅蚀刻方法以及硅鳍片结构体的制造方法。一种蚀刻液，含有：(A)成分：以通式(A‑1)表示的季铵碱；(C)成分：非离子表面活性剂，(C)成分的HLB值为12以上15以下。式(A‑1)中，R1～R4分别独立地为1价烃基。其中，R1～R4所含的碳原子的合计为10以上。【化1】

公开/公告号CN112143500A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-29

原文格式PDF
申请/专利权人东京应化工业株式会社;
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申请/专利号CN202010581674.0
发明设计人钟明谚;高滨昌;
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申请日2020-06-23
分类号C09K13/00(20060101);C23F1/32(20060101);C23F1/02(20060101);C30B33/10(20060101);C30B29/06(20060101);H01L21/306(20060101);
代理机构31291 上海立群专利代理事务所(普通合伙);
代理人陈亦欧;毛立群
地址日本国神奈川县
入库时间 2023-06-19 09:21:28

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-04-05

实质审查的生效 IPC(主分类):C09K13/00 专利申请号:2020105816740 申请日:20200623

实质审查的生效

1. 硅蚀刻液、硅蚀刻方法以及硅鳍片结构体的制造方法 [P] . 中国专利： CN112143500A . 2020-12-29
2. 硅蚀刻液、使用该蚀刻液的硅器件的制造方法以及基板处理方法 [P] . 中国专利： CN113308249A . 2021-08-27
3. Silicon etching liquid, method for manufacturing silicon device using the etching liquid, and substrate processing method [P] . JP2021136429A . 2021-09-13

机译：硅蚀刻液，使用蚀刻液体制造硅装置的方法，以及基板处理方法
4. Silicon etching solution and method of manufacturing silicon device using the etching solution [P] . 日本专利： JP2020126997A . 2020-08-20

机译：硅蚀刻液及使用该蚀刻液的硅装置的制造方法
5. Etching method of silicon semiconductor substrate, manufacturing method of semiconductor device, and etching liquid [P] . JPWO2019230833A1 . 2021-06-24

机译：硅半导体衬底的蚀刻方法，半导体器件的制造方法，蚀刻液体