GaAsP纳米结构的Ga辅助的生长、不含金的GaAsP纳米结构及包含该纳米结构的光伏电池

摘要

本申请公开了用于使用镓辅助的（Ga辅助的）蒸气-液体-固体（VLS）生长，即不需要金催化剂颗粒，制造磷砷化镓（GaAsP）纳米结构的技术。所得到的Ga辅助的GaAsP纳米结构是不含金颗粒的，这使它们对于光电应用是有用的，例如作为太阳能电池中的结。Ga辅助的GaAsP纳米结构可以被制造为具有在1.6至1.8eV的范围内（例如在以及约1.7eV）的带隙。