法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-01-11
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/336 申请公布日:20140604 申请日:20140225
发明专利申请公布后的驳回
2014-07-02
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/336 申请日:20140225
实质审查的生效
2014-06-04
公开
公开
机译: 用于pMOSFET的具有升高的源极/漏极的MOSFET的形成方法
机译: 由金属源/漏极引起的具有单轴应变的量子阱mosfet通道的形成方法
机译: 具有位于L形间隔下的源/漏扩展区的MOSFET器件的形成方法